Der umkristallisierte keramische Strahl, den wir produzierten, wird durch das Alphasilikonkarbidpulver gemacht, nach der Gestaltung gesintert unter 2400 Celsius,
die SIC-Reinheit ist mehr als 99%, nicht andere Kombinationsphase, mit hochfester Unterhoher temperatur, das umkristallisierte keramische
Strahl ist für Shuttlebrennofen passend. Unsere Firma haben und zusammengefasste viel umkristallisierte keramische Strahlnanwendung angesammelt
Erfahrung entsprechend setzen Forschung jahrelang fort, selbstverständlich gibt es noch viele Probleme benötigt uns zu erforschen. In einem Wort
die Praxisanwendung von umkristallisierten keramischen Strahlen muss noch ununterbrochene Forschung, zwecks wissenschaftlich und richtig erhalten
Anwendung im Sintervorgang des Deckenbrennofens und des Shuttlebrennofens, die Produzenten und die Benutzer vom umkristallisierten Silikon machen
Karbidstrahlen erreichen einen Konsens und fördern wissenschaftlichen und technologischen Fortschritt.
Eigenschaften des umkristallisierten keramischen Strahls des Silikonkarbids:
keramischer Strahl des Karbids des Silikons 1.Recrystallized mit Widerstand der hohen Temperatur, kann es natürliche Temperaturstärke darunter halten
hohe Temperatur, sogar etwas erhöht. Die Biegefestigkeit ist 80~100MPa unter 20℃, und 90~110MPa unter 1400℃, das ist
die Experimenttestdaten, so diese Art des Materials sind für Lagerteile der hohen Temperatur passender.
Widerstand 2.Corrosion, im säurehaltigen Medium, sogar in der säurehaltigen Umwelt der hohen Temperatur, wie Kochen von HCl, H2SO4, HNO3,
liquated KClO3, KNO3, kann es Lager und keine Reaktion.
ist Wärmeleitfähigkeit 3.Good, die Wärmeleitfähigkeit des umkristallisierten keramischen Strahls 28W/m·K, besser als Tonerde, Oxid
gebundenes Silikonkarbid, Forsteriteporzellan, Mulit usw. So für umkristallisierten keramischen Strahl, kann gute Wärmeleitfähigkeit verringern
Wärmestoß und Temperaturwechselbeständigkeit verbessern.
hat keramischer Strahl 4.Recrystallized niedrigen Ausdehnungskoeffizienten, mit einem Durchschnitt 4.8×10-6/℃, niedriger als Tonerde
Porzellan, elektrisches Porzellan, Magnesiumoxydporzellan etc.
Widerstand der Oxidation 5.Good und mehr Oxidationswiderstands als andere Nichtoxidkeramik. Wenn der Teilstrahl verwendet
unter hoher Temperatur wird das Oberflächensilikonkarbid oxidiert, um einen Film SiO2 zu bilden, wird der Film der Oxidationsrate verzögert und verringert.
SPEZIFIKATION:
| Einzelteil |
Einheit |
Daten |
| Temperatur der Anwendung |
C |
1380 |
| Dichte |
g/cm3 |
>=3.02 |
| offene Porosität |
% |
<0> |
| Biegefestigkeit |
Mpa |
250 (20C) |
| Mpa |
280 (1200C) |
| Elastizitätsmodul |
Gpa |
330 (20C) |
| Gpa |
300 (1200C) |
| Wärmeleitfähigkeit |
W/m.k |
45 (1200C) |
| Ausdehnungskoeffizient |
K-1*10-6 |
4,5 |
| Starrheit |
|
9,15 |
| säurebeständiges alkalisches |
|
Ausgezeichnet |
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